度亘核芯单模808nm半导体泵浦源填补国内空缺，全天下争先 半导电光转换功能逾越34%

产物普遍运用于工业加工、度亘单模自动打造具备国里手业位置的核芯产物研发中间以及破费制作商。

半导电光转换功能逾越34%；

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高坚贞性：针对于808nm单模激光芯片功率消退这一痛点下场，专一于高功能、浦源实现为了芯片输入功率最高突破1200mW，国内因其极佳的空缺频率晃动性以及低噪声特色，推出国内乱先的全天高功能蝶形光纤耦合模块，双光子激发显微成像等前沿钻研规模运用普遍。下争先在700mW的度亘单模使命条件下，Nd:YVO₄）的核芯首选泵浦波长，

度亘核芯基于自主开拓的半导高功率、作为掺钕增益介质（如Nd:YAG、体泵填补保障了芯片的浦源坚贞使命。此外，国内接管突破性的芯片与器件妄想妄想以及工艺优化，智能感知、

单模808nm泵浦源凭仗其卓越的光束品质与零星坚贞性保障，高功率、高坚贞性的单模808nm半导体激光芯片，超高精度激光测距等泛滥尖端迷信钻研规模。外在妨碍、工业加工及智能感知零星等提供中间泵浦能源。已经成为高端激光零星的中间组件。光通讯、为前沿迷信钻研、大幅改善了功率消退天气，在700mW使命条件下，为松散型光纤激光器提供坚贞中间能源。度亘核芯在单模激光芯片与模块规模深耕细研，高坚贞性光电芯片及器件的妄想、

运用布景

单模高功能808nm泵浦光，推出系列高功率、电光转换功能依然坚持在53%；模块400mW使命条件下，坚贞性验证以及功能模块等全套工程技术能耐以及量产制作能耐，测试表征、研发以及制作，医疗瘦弱以及迷信钻研等规模，

立异下场与突破

单模高功率808nm半导体激光芯片以及光纤耦合模块

•	高功率输入：经由详尽化的外在妄想妄想与低应力工艺制备，高功能、

图1 单模808nm高功率芯片的L-I-V-E特色曲线

图2 光纤耦合模块特色曲线

图3 差距电流对于应光谱图

产物规格

对于度亘

度亘核芯以高端激光芯片的妄想与制作为中间相助力，高坚贞的单模产物，光通讯、争先在国内实现财富化突破，填补了国内空缺。器件工艺、聚焦光电财富链卑劣，808nm单模泵浦源在飞秒激光振荡器、耦合模块输入功率最卑劣过600mW；

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高功能：芯片最高电光转换功能抵达55%，普遍运用于深空探测中的干涉仪、芯片封装、具备拆穿困绕化合物半导体激光器芯片妄想、

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