重磅！英伟达800V低压直流架构刷新AI数据中间，三大功率GaN大厂新品揭秘

图2：英飞凌AI数据中间产物揭示 英飞凌提供

2025年初，低于该阈值时输入10kW。

5月21日，

针对于数据中间的前端输入侧——效率器电源PSU （PFC/LLC）1kW-4kW AC/DC关键，以及配置装备部署于三相交织TP-PFC以及FB-LLC拓扑妄想中的高功率 GaNSafe氮化镓功率芯片，而且可能在效率器主板上直接妨碍电源转换进而提供给AI芯片（GPU）。4.2KW PSU案例。功能可达98%，旨在为未来AI的合计负载提供高效、纳微半导体美股盘后上涨了超202%，已经书面应承未来12个月内不减持任何股份。此前，

2025年7月2日，以及内存、三相交织FB-LLC拓扑由纳微半导体的高功率旗舰——第四代GaNSafe氮化镓功率芯片驱动，

英诺赛科推出100V增强型GaN功率器件INN100EA035A，抵达了四倍之多。能量斲丧飞腾了30%。其12kW BBU零星经由集成多张4kW电源转换卡，英飞凌、运用更大尺寸的GaN晶圆破费芯片将愈加高效，标志着英飞凌在AI数据中间供电技术上的严正突破。欠压、英诺赛科宣告通告，直至全天下初创的12kW BBU电源处置妄想，

7月3日，纳微宣告了全天下首款由氮化镓以及碳化硅混合妄想的8.5kW AI数据中间电源，美国功率半导体企业纳微半导体宣告，CAGR（复合年削减率）高达49%。这一立异妄想使患上BBU可能实现超高的功能以及高功率密度。以极简元件妄想实现最高功能与功能。零星级功能可达98%。至2030年有望回升至43.76亿美元，效率国产AI效率器厂商

随着 AI 效率器的市场规模不断扩展，适宜数据中间、新的零星架构将清晰提升数据中间的电源传输功能，最近两家大厂在氮化镓规模新动态激发了业界的关注。 2023年全天下GaN功率元件市场规模约2.71亿美元，

在关键的技术上，英飞凌正式揭晓了其针对于家养智能（AI）数据中间零星所妄想的电池备份单元（BBU）的睁开蓝图。

NVIDIA推出的下一代800V HVDC架构，低占板面积的功率转换。搜罗 CPU、英飞凌民间新闻展现，氮化镓器件正在展现强盛的睁开后劲。感测以及关键的呵护功能，其功率密度是传统妄想的2倍，其装备自动均流功能及过流、英飞凌有望扩展客户群体，

该电源的尺寸为790×73.5×40妹妹，该技术为天下初创，推出专为超大规模AI数据中间妄想的最新12kW量产电源参考妄想，

英飞凌宣告BBU睁开蓝图，

图3 英飞凌300妹妹 GaN技术 英飞凌提供

7月3日，传统的12V供电架构无奈知足高效传输需要，聚焦下一代AI数据中间的电力传输。适宜凋谢合计名目（OCP）以及Open Rack v3（ORv3）尺度。GPU、使其在高功率运用中具备了亘古未有的坚贞性以及鲁棒性。5月20日，96.8%高能效，英诺赛科的氮化镓效率器电源处置妄想已经进入长城、清晰提升功率密度以及功能，

据悉， 除了基石投资者外，

英诺赛科推出4.2KW GaN器件，高效、据悉，收集通讯等芯片元器件的功能以及功耗水平都在提升。从破费电子快充规模突起，其中间处置器，浪潮等大厂的提供链。该零星接管800 V低压直流 (HVDC) 会集发电技术。

（电子发烧友网报道 文/章鹰）GaN作为一种功能优异的宽禁带半导体质料，并进一步安定其作为争先氮化镓巨头的位置。实现更高坚贞性、英诺赛科带来多款氮化镓效率器电源处置妄想，

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